三星、SK海力士在提高標准DRAM和NAND芯片産量方面仍保持保守態度。據悉，8Gb DDR4 DRAM 通用內存的合約價在四月份環比上漲了 17%，但面向閃存盤等便攜存儲設備的 128Gb（16Gx8）MLC 通用閃存的價格卻按兵不動。

這主要是因爲四月初的台灣地區地震影響了美光內存産能，短時間內推動通用內存需求走高。整體來看通用存儲芯片的需求並未真正複蘇，下遊企業仍持有相當數量的庫存。

另一方面，國際地緣政治局勢目前處于不穩定狀態。近期中東地區局勢緊張，美國大選年也對全球貿易帶來額外的不穩定因素，兩重影響交織下通用存儲芯片需求的可見度已然降低。

此外，AI 熱潮下 HBM 內存需求旺盛，而 HBM 的晶圓消耗量是通用 DRAM 的 2~3 倍。在三星電子、SK 海力士積極擴産 HBM 的背景下，通用 DRAM 的晶圓投片量勢必得到抑制。

今年下半年將迎來蘋果 iPhone 16 系列、三星 Galaxy Z 系列等重磅智能手機的發布，報道預測這波新機潮有望成爲原廠增産標准存儲芯片的契機。