最近，關于EUV光刻機，又有勁爆消息傳出。

據外媒報道，有消息人士透露，由于美國施壓，ASML向荷蘭政府官員保證，在特殊情況下，該公司有能力遠程癱瘓（remotely disable）台積電使用的EUV光刻機。知情人士稱，ASML擁有“鎖死開關”（kill switch），可以遠端強制關閉EUV。

針對這一消息，有專家表示，遠程癱瘓或關閉EUV，技術上是可行的。

由于全球90%的先進制程（7nm及以下）芯片都是在中國台灣生産制造的，因此，遠程癱瘓EUV光刻機的消息在行業掀起了不小的波瀾。

ASML是唯一一家有能力制造EUV設備的廠商，過去幾年裏，每年可生産約40台這樣的設備。今年2月，該公司財務長Roger Dassen在接受采訪時表示，計劃2024年把産量提高到約60台，而一台EUV光刻機的價格高達2.3億美元，這還只是新設備初代版本的價格，之後的更新版本會更貴。

台積電受益頗多

多年來，台積電是EUV設備的最大買家，也因爲有了這些設備，使其不斷鞏固著晶圓代工龍頭一哥的地位，特別是在先進制程方面，台積電積累了豐富的技術、工藝和經驗，使其能夠越來越從容、靈活地使用EUV光刻機，以提高生産率，並盡量降低使用成本。

2019年，台積電擁有全球42%的EUV光刻機安裝量，2020年則增加到了50%。近幾年，雖然三星和英特爾不斷增加EUV設備購買量，台積電安裝量的全球占比依然在上升，目前約爲56%，到2024年底，該晶圓代工龍頭的EUV光刻機數量有望比2019年增長10倍。

現在，台積電采用EUV設備生産的晶圓數量是2019年的30倍，與增加10倍的光刻機數量相比，其産量增長更爲可觀，這凸顯出該龍頭廠商在經過多年的使用和積累後，能夠不斷提高EUV的生産效率、縮短維修時間並減少總體停機時間。

EUV光刻系統的耗電量是非常大的，台積電通過未公開的節能技術，成功地將EUV光刻機的功耗降低了24%，該公司計劃在2030年前將每台EUV設備的單位晶圓能效提高1.5倍。

越來越貴，台積電也發愁

雖然EUV光刻機是個好東西，特別是對于7nm以下的先進制程來說，它是不可或缺的，但是，隨著系統越來越複雜，這些設備的價格越來越昂貴，即使是台積電這樣的龍頭企業，也不能再像以前那樣任意購買了。

最近，台積電高級副總裁Kevin Zhang在阿姆斯特丹的一個技術研討會上表示，新的high-NA（高數值孔徑）EUV光刻機成本非常高，短期內不考慮采用。

ASML推出的這款最新EUV光刻機可以8nm的分辨率刻印集成電路，然而，這一堪稱“人類科技巅峰”的設備，每台耗資高達3.5億歐元(約3.8億美元)，重量則相當于兩架空客A320，運輸和裝配非常複雜。

與ASML生産的標准款EUV光刻機相比，新的high-NA EUV設備的最大特點就是使用了更大的數值孔徑，high-NA EUV采用0.55NA鏡頭，能夠實現8nm級別的分辨率，而標准EUV使用的是0.33NA鏡頭。因此，這種新産品能夠在晶圓上刻印出更小的特征尺寸，它對于2nm及以下制程芯片研發和生産至關重要。

然而，不斷上升的成本使得3nm及以下制程芯片制造進程變得更加困難。台積電的KevinZhang表示，該公司的A16制程（1.6nm）將于2026年底推出，但不會使用high-NA EUV光刻機，可以繼續依賴台積電舊款的EUV設備。他表示：“我喜歡high-NA EUV的性能，但是否使用它將取決于它在哪個層面最具經濟意義，以及我們能夠實現的技術平衡。”

“經營一家大型芯片制造工廠的成本，包括建築、設備、工具、電力和原材料等，而這些一直在上漲。這是整個行業所面臨的共同挑戰”，Kevin Zhang說。

美國攪局

近些年，美國在大力發展本土的芯片制造業，特別是先進制程工藝技術。爲此，美國政府推出了多項扶持本土企業的優惠政策，以及資金支持，受惠最大的就是英特爾。

在美國政府高額補貼的支持下，英特爾正在大舉進軍晶圓代工市場，爲了奪回曾經不可動搖的芯片制造技術優勢，該公司將更多的資源放在了EUV光刻機上，成爲了該消費市場的頭號玩家。

2023年12月，ASML表示，已開始向英特爾交付第一台High-NA EUV系統的主要部件，被運往了英特爾位于俄勒岡州的D1X工廠，該公司在去年的一份聲明中表示，D1X是開發和完善其未來芯片制造技術的關鍵設施。

英特爾CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）曾表示，他的公司將獲得第一台這種新型設備，以表明其重返芯片制造技術最前沿的決心。

Oddo BHF分析師在一份報告中表示，ASML的第一款高數值孔徑EUV設備名爲Twinscan EXE：5200，售價約爲2.5億歐元（2.75億美元）。分析師在與該公司會面後表示，第二代高數值孔徑EUV設備稱爲EXE：5200B，將具有更高的生産率，其價格將超過3.5億歐元。

在獲得Twinscan EXE：5200之前，英特爾購買了EXE：5000，該公司使用它來學習如何更好地使用High-NA EUV設備，並用于18A制程工藝技術研發，積累經驗。英特爾計劃從 2025年開始使用Twinscan EXE：5200量産18A制程芯片。

由于高數值孔徑與低數值孔徑光刻機有許多不同之處，需要對基礎設施進行大量更改，因此，在競爭對手之前部署Twinscan EXE：5200對英特爾來說是一個優勢。一方面，該公司有足夠的時間來調整其18A工藝技術，另一方面，可以調整High-NA基礎設施。這些會使英特爾比台積電和三星更具優勢。

據悉，2024年，ASML將生産10台High-NA EUV設備，英特爾將獲得其中的6台。

除了英特爾，三星也在尋求獲得高數值孔徑EUV，三星電子副董事長兼設備解決方案部門負責人Kyung Kye-hyun表示，該公司與ASML就采購高數值孔徑EUV達成了協議。

“三星已經確保了獲得高數值孔徑EUV設備技術的優先權”，Kyung Kye-hyun說：“我相信，從長遠來看，我們創造了一個機會，可以優化高數值孔徑技術在DRAM和邏輯芯片生産中的使用。”

抛售ASML股份

12年前，ASML爲了維持運營，發行了有限投票權的股票給三大客戶。2012年8月~9月，英特爾、三星、台積電一共投資了65億美元給ASML，其中英特爾持有超過15%的股份，三星持有3%，台積電持有5%。

後來，ASML的股價一路狂飚，三星、台積電、英特爾不斷減持ASML的股份套現，雖然減持，卻還是保留了一部分，因爲有了股東身份，有利于爭奪EUV光刻機。

不過，2024年2月，有媒體報道稱，三星已經將所持ASML的所有剩余股份賣光了，套現65億元人民幣。三星表示，要將套現的這筆錢，用于半導體工藝技術升級。

事實上，台積電也基本將ASML的股份賣光了，只有英特爾還留有一點點，但也非常少，幾乎可以忽略了。

爲何這三家大廠都選擇抛售ASML的股份呢？

一方面，自然是因爲投資賺到了大錢，當初的投資到現在至少賺了10倍。

另外，現在的EUV光刻機，似乎沒以前那麽香了，首先是ASML的産能提升了不少，不必像以前那麽去搶了（High-NA EUV除外），同時，ASML的EUV光刻機，升級換代越來越難了，ASML之前表示，0.55 NA之後，很難再升級，也許是最後一代了，要升級可能也要到2030年了。

再有，硅基芯片已經發展到物理極限了，進步越來越難，後續可能會是光電芯片、碳基芯片、量子芯片等等，EUV光刻機的行業地位和前途並不像以前那麽明朗了。

EUV市場變動，中國有可爲

近些年，由于美國施壓，ASML不能把EUV光刻機賣給中國大陸晶圓廠。

2024年1月，ASML公司證實，爲遵從美國的管制措施，荷蘭政府吊銷了2023年頒發的NXT：2050i和NXT：2100i DUV（深紫外線）光刻系統出口許可證，影響了中國客戶。

NXT：2050i是一款高生産率、雙級浸潤式DUV光刻機，專爲在先進制程節點上批量加工12英寸晶圓而設計，NXT：2100i則是NXT：2050i的後續産品，配備了新的投影光學調節系統。

過去數年中，中國大陸是ASML的全球第三大市場，僅次于中國台灣和韓國。在2023年第三季度，中國大陸成了ASML光刻機最大出口市場，占到其銷售總量的46%。

ASML前任CEO溫尼克（Peter Wennink）在2023年10月對投資者表示，來自美國的限制措施將影響到該企業約15%的對華銷售份額。今年4月，美國政府再度向荷蘭施壓，要求ASML限制對中國大陸部分設備提供服務。溫尼克曾公開反對美國的限制措施，並警告說，這些限制會刺激中國開發新技術，對ASML構成競爭。他曾在接受媒體采訪時說：“你給他們施加的壓力越大，他們就越有可能加倍努力。”

確實如溫尼克所說，限制會激發潛能。以2023年8月華爲推出的Mate 60系列手機爲例，當時，可以說震驚了全球半導體業，業內都在討論用DUV設備制造先進制程芯片的話題，而這些芯片原本是需要用到EUV設備的。

其實，用DUV設備制造先進制程芯片，比使用EUV更複雜，例如，需要通過增加CVD層spacer實現自對准，以及四次曝光疊加才能完成第一層:Fin，精度要1nm左右，光是首層多重曝光就大幅提高了光刻成本，3~4個光罩加上四次浸沒光刻，複雜且反複的光刻必將導致良率下降，這些都是成本啊。不過，有得就有失，在沒有EUV光刻機的情況下，能夠利用DUV設備制造出先進制程芯片，而且用時比人們想象的要短，已經很厲害了。

梁孟松先生在2020年辭職信裏提到，3年多完成先進制程工藝研發的三級跳，依靠的不是EUV設備，而是工程師們在晶圓廠的know-how上面，做出了奇迹般的貢獻和傳遞。

在全球EUV光刻機市場出現較大變局的當下（台積電不再依賴于最貴的新設備，美國和英特爾攪局，三大晶圓廠抛售ASML股份，以及ASML有能力遠程癱瘓台積電EUV設備），中國可以有更多作爲。

據悉，台積電將在2025年投入量産的2nm芯片，可能不再采用EUV激光，而是下一代技術PUV，也被稱爲軟X射線技術，這是一種波長爲6.5nm的铌激光技術，PUV設備是科學家用于拍攝原子化學物理現象的工具。據悉，該技術最初是由IBM研發的，美國工藝戰略研究報告認爲，這是美國超越台積電的重要機會。

在研發EUV光刻機的同時，中國也應該關注PUV的發展，並在必要時給予資源傾斜。

EUV光刻機解決的是芯片內部的性能和速度問題，而芯片與芯片之間的連接和通信也非常重要，芯片運行速度再快，也會受到芯片間信息傳輸的限制，這一點，近些年業界大廠越來越重視，例如，英偉達正在研發各種光傳輸技術，用于串聯超級人工智能模型的大腦。

在全球EUV市場出現較大變化的當下，中國可以多管齊下，盡量做更多的技術研發和儲備，以便能夠應對將來出現的更大技術和市場變革。