根據韓媒報道，三星和AMD公司簽署了價值4萬億韓元的HBM3E供貨協議。報道稱，這份合同中，AMD將采購三星的HBM，而作爲交換，三星將采購AMD的AI加速卡，但是具體的換購數量目前尚不清楚。

三星日前表示將于今年上半年量産 HBM3E 12H 內存，而 AMD 預估將會在今年下半年開始量産相關的 AI 加速卡。

三星 HBM3E 12H 支持全天候最高帶寬達 1280GB/s，産品容量也達到了 36GB。相比三星 8 層堆疊的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在帶寬和容量上提升超過 50%。

HBM3E 12H 采用了熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，使得 12 層和 8 層堆疊産品的高度保持一致，以滿足當前 HBM 封裝的要求。因爲行業正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題，這項技術將在更高的堆疊中帶來更多益處。

三星一直在努力降低其非導電薄膜（NCF）材料的厚度，並實現芯片之間的間隙最小化至 7 微米（µm），同時消除了層與層之間的空隙。這些努力使其 HBM3E 12H 産品的垂直密度比其 HBM3 8H 産品提高了 20% 以上。