不久前，有媒體報道三星和 SK 海力士最終將永久關閉各自的 DDR3 生産線，兩家韓國存儲制造商可能在今年下半年停止向市場供應 DDR3 內存。隨後市場傳出DDR3産品漲價的消息。兩家公司做出這一改變的理由並不難理解，AI火熱的當下，相關內存供不應求。爲了利潤率，搶占未來十年的市場，存儲巨頭們發力HBM和DDR5等産品也不難理解。

SK海力士的HBM供應在2024年和2025年大部分時間都已售罄，這導致所有HBM（包括HBM2E、HBM3和HBM3E）內存類型的價格明年預計上漲5%至10%。有媒體預測，到2025年，由于強烈的HBM需求，HBM市場份額將增加一倍以上，從2023年的2%增長到2024年的5%，再到2025年的10%。值得一提的是，DDR5內存也受到HBM需求的影響，據報道，其價格將上漲20%，因爲前三大存儲制造商將生産重點轉向HBM。至于服務器和個人電腦市場，早就不再使用DDR3了。

DDR3 真的垂暮了嗎？

DDR3于2007 年首次推出，已經問世17年。相對于 DDR2，DDR3 在邏輯 Bank 數量上，起步爲 8 個且爲未來 16 個做准備（DDR2 只有 4Bank 和 8Bank 設計）。在封裝方面，引腳增加，有特定封裝規格且必須環保（8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝），與 DDR2 的多種封裝規格不同。在突發長度上，預取爲 8bit 導致突發傳輸周期固定爲 8，還增加新模式且禁止突發中斷操作，比 DDR2 更靈活。在尋址時序上，CL 周期提升且範圍不同，附加延遲設計變化，還新增寫入延遲參數，DDR2 的 CL 範圍與之不同。在新增功能上，具備重置功能可停止操作節約電力，以及新增 ZQ 校准功能自動校驗相關電阻值，這是 DDR2 所沒有的。

對于內存産品來說，叠代就像人類正常的新陳代謝。設計的進步、工藝的突破讓産品的能耗越來越低，傳輸速度越來越快、存儲容量也越來越大。隨著DDR5的登場，DDR3是否真的要和時代說再見了？

網絡通信、電視、監控、機頂盒、工業、智慧家庭等領域，仍是廣泛應用DDR3的場景。據中泰電子數據，2022/2021年，DDR3占DRAM比例爲8%/8%，達75/74億美金。

DDR3用戶接口在設計與性能上展現出諸多顯著優勢。相較前代産品，DDR3內存模組在傳輸速率方面實現了大幅提升，從而顯著加快了數據的讀取和寫入速度，有效滿足了多任務處理和大規模數據運算的需求。同時，其低功耗特性顯著降低了計算機系統的能耗，進一步提升了電池續航能力，爲移動設備用戶帶來了極大的便利。DDR3內存模塊表現出高度的兼容性，可以適配台式機、筆記本電腦，服務器、工作站等設備上，確保系統運行的穩定性和可靠性。這一廣泛的兼容性爲用戶提供了更自由的選擇空間，無需擔心內存模塊的兼容性問題，從而大大減輕了用戶的困擾。

DDR3報價從2023年9月起陸續走揚，DDR3 4Gb至11月累計漲幅近一成，DDR3 2Gb累計漲幅則有14%。

2023年年末之際，DDR3相關業者普遍持積極態度，對市況發展充滿信心。钰創公司認爲，隨著庫存的逐步消化，行業已度過循環低谷，逐步邁向複蘇階段。晶豪科公司亦在推進自車規用的利基型存儲産品，以滿足市場的多元化需求。供應鏈透露，隨著産業經過逾一年去庫存，近期終端消費性電子訂單大增，帶動DDR3芯片需求爆發，因應客戶需求，華邦、钰創向載板協力廠備貨量激增，晶豪科投片量也有上升趨勢，市況回溫以及價格反轉之際，業者都在備貨迎接盛況。

不難發現有相當一部分半導體公司仍在DDR3市場上發力，主要關注的市場仍是物聯網領域。

華邦的DDR3定價在第二季度上漲了約 10%，主要是 2Gb 和 4GbDDR3報價。因此，華邦正全力以赴推進DDR3規格DRAM市場的發展，位于高雄的工廠今年的産能已全面釋放，旨在抓住DDR3價格上漲這一有利的市場機遇。據預測，華邦今年DDR3産品所帶來的DRAM總收入貢獻有望達到五成，從而充分把握轉接訂單所帶來的豐富商業機會。隨著制程技術升級至DDR3階段，該公司已加大對DDR3産能建設的投入力度。高雄工廠引進了先進的20納米設備，産能正逐步釋放，未來有望成爲華邦新制程DRAM産品的主要制造基地。

中國大陸市場上，兆易創新也擁有多款DDR3産品。根據公司官網，兆易創新的利基型DDR3L兼容1.5V/1.35V電壓供電，讀寫速率爲1866Mbps，最高可達2133Mbps，滿足主流應用需求。兆易創新擁有多款利基型DDR3L産品， 能提供1Gb/2Gb/4Gb容量， x8/x16數據接口，適應0 ~ 95℃ / -40 ~ 95℃ / -40 ~ 105℃ 不同溫度範圍的應用場景。

5月17日，钰創公司董事長盧超群指出，當前階段，市場正處于複蘇進程之中，尤其在本年度上半年。钰創公司的其DDR3系列産品已經進入Wi-Fi 6及Wi-Fi 7市場。業界普遍預期，2024年下半年市場活力將顯著增強，預計到2025年，市場將保持持續增長的強勁勢頭，整體DRAM價格有望恢複至疫情前水平。

DDR4的成熟期來了

正如所有産品一樣，DDR3終究會面臨市場的淘汰。

現實是，雖然DDR3價格開始上漲，但其市場的玩家依舊在做“虧本生意”。南亞科技、華邦電子、精英半導體存儲器科技（ESMT）等中國台灣存儲器公司在 2024 年第一季度仍處于虧損狀態。不過2024 年Q1的虧損有所收窄，ESMT的虧損（179 萬美元）在環比和同比上都有所收窄。

內存産品每兩到三年就會升級一次。由于全球重要內存供應商主要集中在 DDR5 或 HBM 內存上，利基Dram制造商將在今年從 DDR4 獲得新的發展前景。DDR4 目前正接近上一個DDR3階段的過渡，預計將促進價格和銷量的增長。據相關廠商表示，預計DDR4的出貨量將大幅攀升，芯片平均售價也將大幅攀升。

這意味著DDR4將會接替DDR3現階段所在的利基市場。隨著三星、SK海力士停止生産DDR3，DDR3向 DDR4 的轉變已經開始，據報道中國台灣內存制造商將從 2024 年開始優先考慮 DDR4 以提高收入。出貨量和平均銷售價格 (ASP) 的結合將有助于他們今年的增長。

一些中國台灣的內存制造商正在考慮擴大産品範圍並開發 2Gb DDR4 解決方案，以滿足客戶對更低密度和更低成本的需求。中國大陸廠商兆易創新也計劃推出 8Gb DDR4 和 LPDDR4 産品。

內存市場下半場

後端廠商對自2024年第二季度起始的內存行業訂單持有樂觀預期。爲應對內存價格上揚態勢，內存芯片制造商計劃終止減産措施，並逐步提升産能利用率，以增強盈利能力。關于上遊供應增加對整體內存市場的影響，目前尚待進一步觀察。然而，據業內消息人士指出，內存後端企業普遍預計訂單量將有所增長。

市場顯示，在3D NAND領域的訂單增長預期將尤爲顯著，而DRAM領域的訂單增長勢頭亦將從第二季度開始顯現。據報道，SK海力士和美光科技已著手提升其産能利用率，特別是針對HBM和DDR5等高端DRAM産品（顯然是受AI帶動的服務器領域增長）。

同時，消息人士稱，第一季度存儲器行業整體的産能利用率已回升至80%以上水平，預計第二季度將進一步升至90%以上。有媒體表示，主要NAND供應商Kioxia亦將結束減産措施，其産能利用率亦將回升至90%以上。

供應鏈制造商的積極備貨正推動著內存市場的持續發展，進而促進了內存後端企業的銷售業績。多家中國台灣後端公司的業績在2月就出現了增長。茂茂科技2月份綜合銷售額數據顯示，其銷售額達到新台幣17.8億元（約合5,652萬美元），同比增長23.64%，環比增長4%。ChipMOS亦表示，其在內存領域的銷售額表現強勁，超越了顯示驅動IC（DDI）領域的銷售表現。盡管客戶目前仍主要下達短期訂單，但預計第一季度的銷售額將實現環比增長。力成科技發布的2月份合並銷售額數據顯示，其銷售額爲新台幣58.8億元，環比下降3.86%，但同比增長12.6%。在2024年1至2月期間，其合並銷售額累計達到新台幣119.9億元，同比增長17.3%。

然而根據閃存市場的數據，最新一周渠道市場內存條最新報價全面下跌，二季度過半，消費類存儲需求持續遇冷。值得注意的是，HBM産品産量的持續增長將會對DRAM産品供應産生擠兌。HBM、DDR與LPDDR5X在制程上存在沖突，當生産相同bit量的産品時，HBM3E所需的晶圓量大約是DDR5的兩至三倍。由于HBM的生産過程還涉及TSV封裝技術，這使得HBM的生産周期較DDR5增加1.5至2個月。

隨著更多産能傾斜至服務器市場，消費類終端可能面臨存儲資源結構性緊缺。在巨大的成本壓力之下，終端廠商可能會通過降低存儲配置來削減成本。2024的下半場，DDR3和DDR4這些老將或許仍有一戰的機會。