中國首發8寸光電芯片晶圓，全球領先！

我們都知道，現在最好的硅片也就是12吋，只有少數幾個已經很好的晶片，還在使用八吋、六吋和四吋晶片。

可以說，隨著制程的進步，硅片的體積也會越來越大，這是由于廢料的減少和成本的降低。但是隨著芯片的不斷擴大，芯片的制造工藝也變得越來越複雜。

盡管一般的硅片已經發展到了12吋，但是仍有大量的特種材質晶片還停留在4吋、6吋和8吋。

就拿日本和美國來說，最先進的芯片，也只能生産出6寸以上的單晶硅。

那是哪一類的铌酸锂芯片？作爲一種集光發光與接受于一體的新型光電子器件，在濾波器、光通信、量子通訊以及太空等方面具有非常廣泛的應用前景。

但是，由于铌酸锂晶體本身就很脆弱，很難制造出大面積的晶體，因此日本和美國目前也只能達到6吋水准，因此，業界必須在八吋制程技術上進行探討，看看哪一家能走在最前面。

目前，全球第一個8吋硅基铌酸锂膜太陽能電池板已在湖北成功投産，預示著中國將在該行業的國際競爭力上取得更大的優勢。

最終研制出8吋 SOI及8吋铌酸锂晶片，成爲目前全球最尖端的硅基互聯太陽能電池系統。

隨著5 G、大數據和人工智能等技術的快速發展，新型的光電子器件受到了廣泛的重視，而铌酸锂晶體作爲一種新型的光電子器件，由于具有優異的光學性能，在未來的研究中具有廣闊的應用前景。

中國8吋LiNbO_3晶片的批量生産，亦預示著中國將在大型Nb-酸锂晶片的光伏整合上，帶動整個行業的革命。本項目的研究成果有望在光學量子計算，大數據分析，人工智能，激光雷達等方面發揮重要作用。

不過，8吋的铌酸锂晶片還處于試驗階段，離大規模生産還有相當長的一段路要走，所以我們還是持審慎的態度。但同樣的，我們也可以通過一些新的技術，來幫助中國的半導體工業，獲得更大的發展。