3月28日消息，據《韓國經濟日報》報導，三星執行副總裁兼DRAM産品與科技部長Hwang Sang-joong于當地時間 26日在美國加州聖何塞舉行的“Memcon 2024”會議上宣布，今年三星HBM産能有望年增2.9倍，高于三星在CES 2024展會上所說的2.4倍。

Hwang Sang-joong指出，在三星第三代HBM2E及第四代HBM3量産後，三星最新的12層的第五代HBM3E芯片已經開始送樣，今年上半將大量生産。還有32Gb晶粒的128GB DDR5內存也將在今年上半年量産。

三星期望在AI時代提升高效能、高容量內存市場的地位。根據三星公布的HMB技術藍圖，預測2026年HBM出貨量比2023年高13.8倍，2028年HBM年比2023年高23.1倍。

根據半導體研究機構SemiAnalysis的最新預測，目前在HBM市場，SK海力士市場份額約爲73%，三星約爲22%，美光約爲5%。顯然，三星要想在HBM領域追上SK海力士，不僅需要拿下更多的客戶訂單，還需要大幅提升其HBM的産能。

值得一提的是，三星半導體事業部門負責人桂顯（Kyung Kye-hyun）上周才表示，正在開發次世代AI芯片「Mach-1」，已與Naver Corp.敲定協議，今年底交貨，合約金額上看1萬億韓元（約7.52億美元）。Naver希望與三星的供應協議大幅降低依賴英偉達（Nvidia）。

編輯：芯智訊-浪客劍