光刻機攪局者即將量産，5nm邁向2nm時代！

目前，在晶片制造領域，使用此制程的廠商，特別是制程較爲先進的廠商，均采用光刻制程。

光刻機，照相平版印刷機，蝕刻機等等，都是不可或缺的，而光刻機更是其中最關鍵的一項，因爲門檻高，研發困難，供應鏈複雜，所以價格也是所有設備中最高的。

另外，目前世界上有能力制造 EUV光刻機的只有四家廠商，其中 ASML是唯一一家具備7 nm及以下芯片制造能力的廠商。

ASML和上遊、下遊都有 EUV光刻機的專利，任何一家光刻機廠商，想要生産 EUV光刻機，都是一件非常困難的事情。

在過去幾年裏，其它光刻廠商已經繞過極紫外光刻技術，轉而使用其它功能與極紫外光刻相同的技術。

其中有些技術大家應該很熟悉，包括納米壓印， BLE, X光， DSA等。

上述四項技術均被認爲是最有可能實現7 nm以下的制程，並且能夠繞過 EUV制程的封鎖。

其中納米壓印技術進展最爲迅速，數年前，日本光刻機生産商佳能公司與 SK Hynix公司合作開發出 NIL納米壓印技術，但僅能應用于65 nm等制程。

去年，佳能公司發布了最新的納米壓印半導體設備FPA-1200NZ2C，它可以在不使用 EUV的情況下，制造出5 nm芯片。

近日，佳能公司宣布，今年將批量生産FPA-1200NZ2C納米壓印設備，該設備的成本只有 EUV光刻的10%，功耗也只有 EUV光刻的10%。

與傳統的納米壓印技術相比，該技術的成本可以降低40%。

佳能同時表示，未來還會對這款産品進行進一步的升級，希望能在2026年生産出2 nm芯片，這樣就可以省去極紫外光刻工藝。

考慮到納米壓印機FPA-1200NZ2C顯然還未完全投産，不知佳能是否真的在吹牛逼，還是在胡扯。

與此同時，業內也有人認爲，納米壓印技術的良率要比 EUV低得多，産能和效率也要低得多，因此並不適用于大規模的芯片生産，而是適用于小批量生産。

但是有一點是不能否認的，如果佳能真的能量産，那麽它對于 EUV光刻技術的影響將會非常大，甚至可以說是一場真正意義上的變革。

當然，由于禁令，目前我們是不可能得到 EUV光刻機的，但是它至少爲我們提供了一個學習的方向，或許到那時候，我們就不會被 EUV制程所困，不是嗎？