有報道稱任天堂正在開發其流行手持遊戲機的新版本。

據報道，Nintendo Switch 2 預計將采用三星第 5 代 V-NAND 內存。這將是對當前 Switch 型號的重大升級，因爲該芯片能夠提供高達 1.4 GB/s 的速度。

新款 Nintendo Switch 遊戲機將提供更快的讀取速度。三星已經在開發第 9 代和第 10 代 V-NAND 芯片，最新的芯片將于明年推出。

第五代 V-NAND 能夠提供高達 1.4 GB/s 的讀取速度，這將爲新遊戲機的性能帶來顯著變化，爲遊戲玩家提供足夠的動力去轉換。

Nintendo Switch 2 可能會使用三星 OLED 顯示屏。