SK海力士公司正式宣布，爲應對全球範圍內快速增長的AI需求，公司計劃投資超過1000億元人民幣，擴大包括HBM在內的下一代DRAM的産能。

據了解，SK海力士已通過董事會決議，將位于韓國忠清北道清州市的M15X晶圓廠定爲新的DRAM生産基地。公司將投資約5.3萬億韓元（約合279.84億元人民幣）用于廠房建設，並計劃于本月底啓動建設工程。

此次擴産計劃並非一蹴而就，SK海力士已做好長遠規劃。隨著設備投資計劃的逐步增加，新生産基地建設的總投資額預計將長期超過20萬億韓元（約合1056億元人民幣）。公司表示，這將有助于進一步擴充産能，以滿足AI應用對存儲器的不斷增長的需求。

SK海力士作爲全球AI應用存儲器領域的領先者，深刻認識到DRAM市場已進入中長期增長時代。特別是HBM等高性能DRAM産品，預計年均增長率將高達60%以上。爲了確保HBM産品的産量達到與普通DRAM相同的水平，公司需要至少兩倍于普通DRAM的生産能力。因此，提高以HBM爲主的DRAM産能成爲公司當前的首要任務。

在選擇M15X作爲新的生産基地時，SK海力士充分考慮了地理位置優勢。M15X廠與正在擴充TSV生産能力的M15廠相鄰，這將有助于優化HBM的生産流程，提高生産效率。此外，公司還將繼續推進龍仁半導體集群等韓國國內的投資計劃，以進一步鞏固和提升公司在全球半導體市場的地位。

SK海力士的此次擴産計劃不僅有助于公司應對AI時代的挑戰，更將對韓國經濟産生積極影響。作爲SK集團的重要組成部分，SK海力士在韓國的持續投資已爲當地經濟發展做出了顯著貢獻。隨著M15X和龍仁半導體集群等項目的推進，韓國有望成爲全球AI半導體強國，進一步激發國家經濟的活力。

SK海力士CEO郭魯正表示：“M15X將成爲向全世界提供AI應用存儲器的核心設施，也是公司邁向未來的墊腳石。我確信此次投資不僅有助于公司的發展，還將對國家經濟的未來發展做出貢獻。”SK海力士將繼續關注市場動態和技術發展趨勢，加大研發投入，不斷優化産品結構和生産流程。同時，公司也將積極拓展全球市場，與合作夥伴共同推動半導體産業的繁榮發展。

SK海力士一季度業績超預期

在全球半導體市場持續複蘇的大背景下，SK海力士近日發布的2024財年第一季度財務報告顯示，公司業績遠超市場預期，收入和淨利潤均創下曆史新高，標志著公司開始全面轉向複蘇期。

據財報顯示，SK海力士在2024財年第一季度的合並收入爲12.4296萬億韓元，同比增長了驚人的144%，環比也實現了顯著增長。更爲值得一提的是，公司的營業利潤達到了2.8860萬億韓元，同比扭虧爲盈，環比增長更是高達734%，遠超分析師的預期。淨利潤也達到了1.9170萬億韓元，成功實現了同比扭虧爲盈。

這一業績的取得，主要得益于SK海力士在AI應用存儲器領域的卓越競爭力。公司憑借其領先的HBM存儲系統技術，成功提升了面向AI服務器的産品銷量，從而實現了業績的大幅增長。此外，公司還積極擴大HBM3E芯片的供應，並成功與台積電簽署HBM4開發協議，進一步鞏固了其在高帶寬存儲器市場的領先地位。

同時，SK海力士還持續優化NAND閃存産品，隨著高端eSSD産品銷售比重的提升以及平均售價的上升，成功實現了扭虧爲盈。這一業績的改善，不僅提升了公司的整體盈利水平，也爲公司的未來發展奠定了堅實的基礎。

SK海力士對AI存儲器市場的增長趨勢充滿信心。公司認爲，隨著AI技術的不斷發展，面向AI的存儲器需求將持續增長。同時，普通DRAM産品的需求也將從下半年開始恢複，從而推動半導體存儲器市場呈現穩定的增長趨勢。

爲了適應市場需求的增長趨勢，SK海力士計劃進一步擴大産能。公司宣布將投資超過原計劃，以加速建設新的生産基地，並推進中長期投資項目。這一舉措將有助于公司提高生産效率，降低成本，進一步提升市場競爭力。

此外，SK海力士還將繼續加大研發投入，推動技術創新和産品升級。公司將以市場需求爲導向，不斷優化産品結構，提升産品性能和質量，以滿足客戶不斷變化的需求。

SK海力士在2024財年第一季度的業績表現令人矚目，不僅遠超市場預期，也爲公司的未來發展奠定了堅實的基礎。隨著全球半導體市場的持續複蘇和AI技術的快速發展，SK海力士將繼續保持強勁的增長勢頭，開啓全面複蘇的新篇章。

HBM芯片再度成爲市場風口

在科技飛速發展的今天，高性能計算、人工智能和圖形處理等領域對內存帶寬的需求日益增長。近日，高帶寬存儲器（HBM）芯片再度成爲市場風口，其傳輸速度更快、容量更大的特性，使得它成爲解決大規模數據並行處理問題的關鍵技術之一。

HBM芯片通過將一系列DRAM芯片垂直整合成堆疊式結構，每層之間通過硅互連進行通信，實現了較大容量和更高帶寬的特性。與傳統的GDDR相比，HBM具有更高的數據傳輸速率，能夠滿足現代計算應用對內存性能的苛刻要求。

近年來，隨著HBM技術的不斷發展，已經推出了從HBM到HBM3E的多個版本。其中，最新的HBM3E是HBM3的擴展版本，其帶寬可超過1TB/s，爲人工智能等領域的計算提供了強大的支持。英偉達等科技巨頭對HBM技術寄予厚望，紛紛與芯片大廠簽訂大額訂單，以應對日益增長的計算需求。

此外，三星、海力士和美光等存儲巨頭也在HBM領域展開了激烈的競爭。他們紛紛加大研發投入，加速推進HBM産品的升級換代。據悉，三星已經完成了16層混合鍵合HBM內存技術的驗證，制造出了工作正常的16層堆疊HBM3內存樣品。海力士則在HBM市場上占據了領先地位，預計未來幾年其在HBM領域的銷售額將實現顯著增長。

高盛等投資機構也對HBM市場的前景表示樂觀。他們認爲，由于生成式人工智能的需求推動AI服務器出貨量的增加以及每個GPU中HBM密度的提高，HBM市場的總規模將在未來幾年內實現爆炸式增長。預計從2022年到2026年，HBM市場的複合年增長率將達到驚人的77%，市場規模將從23億美元增長至230億美元。

在市場需求不斷增長的推動下，HBM芯片的供應也呈現出緊張態勢。三星、海力士和美光三大原廠在HBM市場上占據了主導地位，他們正積極擴産以滿足市場需求。此外，這些企業還在加速推進下一代産品HBM3E的量産，以獲取先發優勢。

HBM芯片的再度成爲風口，不僅體現了其在高性能計算、人工智能等領域的重要地位，也預示著半導體産業將迎來新一輪的技術革新和市場競爭。隨著HBM技術的不斷進步和應用領域的拓展，它將爲科技産業的未來發展注入強大的動力。