在芯片制造領域裏，光刻膠是不可或缺的關鍵材料，重要性不亞于光刻機，因爲其質量和性能直接決定了集成電路的電性、成品率以及可靠性。不過，光刻膠也和光刻機一樣，也具有很高的技術門檻。

在全球市場上，光刻膠技術一直被少數幾個頭部巨頭所壟斷，而我國在這一領域的發展相對滯後。數據顯示，全球光刻膠第一大技術來源國爲日本，日本光刻膠企業的專利申請量占全球總專利申請量的46%，並且，其光刻膠産品占全球市場份額至少在60%以上；其次是美國，其光刻膠專利申請量占全球專利總申請量的25%，相關企業的産品占全球市場份額約15%。

這意味著，整個光刻膠市場幾乎被日美企業主導，特別在高端光刻膠市場上，日本占據絕對主導地位。

相比之下，我國的光刻膠技術發展相對落後，國産中高端光刻膠的自給率較低。具體而言，EUV光刻膠的自給率爲0，ArF光刻膠的自給率僅占約1%，KrF光刻膠的自給率稍好一些，約爲5%。國內企業的光刻膠産品也面臨著一些挑戰，目前，僅g/i線光刻膠實現了批量應用，KrF光刻膠僅在少數研發進度領先的企業中實現了小批量應用，最高端的EUV光刻膠則連研發都處于相當早期的階段。

在這樣的背景下，我國科研機構和相關科企一直在不懈努力，近日，傳來了好消息，國內新型光刻膠技術迎來了新的突破。據湖北九峰山實驗室官方賬號近日發布的信息顯示，其與華中科技大學組成聯合研究團隊，成功突破了“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠”技術。

這一技術通過巧妙的化學結構設計，利用兩種光敏單元構建了“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠”。這一突破使得光刻圖像的形貌和線邊緣粗糙度得到了顯著改善，space圖案寬度值正態分布標准差（SD）極小，性能優于大多數商用光刻膠。

這一研究成果有望爲光刻制造的共性難題提供明確的方向。簡單來說，當半導體制造節點進入到100nm甚至10nm以下時，利用該技術有望解決産生高分辨率且截面形貌優良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形的難題。同時，湖北九峰山實驗室認爲，此項研究成果可以爲EUV光刻膠的著力開發提供技術儲備。

這是一項重大突破，具有重要的意義。

光刻制造的“共性難題”是長期以來一直未能完美解決的問題，而華中科技大學團隊設計的新結構體系和光響應機制方案解決了這一技術瓶頸，表明我國在光刻膠領域的研究實力處于前列。

同時，華中科技大學與湖北九峰山實驗室聯合研究團隊取得的技術成果，爲EUV光刻膠的開發提供了堅實的技術儲備。這一突破預示著我國在EUV光刻膠領域即將實現從無到有的跨越，有望在不久的將來實現EUV光刻膠零的突破。對于國內光刻膠産業而言，這一突破將爲其發展帶來積極影響，有望推動國産光刻膠在中高端市場的競爭力提升，進一步提高自給率。

要知道，EUV光刻膠作爲決定芯片工藝先進程度的關鍵材料，對于實現芯片産業的跨越式發展具有舉足輕重的意義。華中科大所取得的這一具有自主知識産權的光刻膠技術突破，恰逢其時，爲我國光刻膠産業的發展奠定了堅實的技術基礎。

更值得高興的是，這項技術體系已經在産線上完成了初步工藝驗證，並且同步完成了各項技術指標的檢測與優化，實現了從技術開發到成果轉化的全鏈條打通。這表明，這項技術不僅停留在理論研究層面，而且在實際應用中得到了驗證，爲下一步的落地應用打下了堅實的基礎。

可見，這項技術突破的意義巨大。當然，在我國的科技發展曆程中，這樣的突破並非首次，也不會是最後一次。我們有理由相信，隨著我國科研實力的不斷提升，未來在更多的高端領域，我們將看到更多“中國智造”的身影。