SK海力士CEO郭魯正3月27日表示，預計用于AI芯片組的HBM芯片在公司DRAM芯片銷售中所占比重將從去年的個位數上升至今年的兩位數。

本月有消息稱SK海力士開始批量生産下一代先進的HBM3E芯片。HBM芯片是高級存儲芯片，在英偉達和其他公司生産的GPU中需求量很大，可處理大量數據。

此前市調機構TrendForce預計截至2024年底，整體DRAM産業規劃生産HBM TSV（硅通孔）的産能約爲250K/m，占總DRAM産能（約1800K/m）約14%，HBM供給數量年增長率可達260%。此外，2023年HBM産值占比之于DRAM整體産業約8.4%，至2024年底將擴大至20.1%。

TrendForce同時預估了三大HBM廠商的HBM/TSV産能，其中三星HBM TSV年産能將在2024年達到130K/m。SK海力士次之，可達120~125K/m；美光相對較少，僅爲20K/m。目前三星、SK海力士規劃提高HBM産能最積極，其中SK海力士在HBM3市場的占有率逾90%，而三星將連續數個季度緊追，未來將受惠于AMD MI300芯片的逐季放量。