據最新消息透露，韓國芯片制造巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州西拉法葉（West Lafayette）投資40億美元興建一座先進的芯片封裝廠，預計于2028年投入運營。這一舉措旨在提升SK海力士在芯片封裝領域的能力，尤其是對于高帶寬記憶體（HBM）的制造而言，具有重要意義。預計該工廠將創造多達1,000個工作崗位，並可能獲得州和聯邦稅收減免的支持。
SK海力士的這一投資計劃是對其在美國擴展業務的重要舉措之一。據悉，該公司正在審查在美國進行先進芯片封裝投資的可能性，但目前尚未做出最終決定。此前，SK海力士曾承諾通過研發項目和在美國建立先進封裝和測試工廠，向半導體産業投資150億美元，而這次40億美元的投資是其承諾的一部分。
SK海力士近期開始批量生産用于人工智能（AI）服務器的下一代高帶寬內存（HBM）芯片，這也凸顯了封裝工藝在HBM生産中的重要性。目前，SK海力士在HBM市場上占據主導地位，市值也在不斷增長，使其成爲韓國市值規模第二大的公司。
考慮到該工廠建設的資本支出可能高達40億美元，政府的支持顯得尤爲重要。美國政府最近通過了芯片法案，撥出了數十億美元用于擴大國內半導體産業，而SK海力士在印第安納州建廠的計劃則被視爲對美國半導體産業發展的重大推動。
SK海力士的工廠預計將位于普渡大學附近，這也是一個有利的因素，因爲普渡大學是美國最大的半導體和微電子工程專業的所在地之一，可以爲該工廠提供豐富的技術人才資源。
雖然目前尚未最終確定建廠計劃，但據知情人士透露，SK海力士董事會預計很快將就此事進行投票，以完成最終決定。這一舉措不僅將促進SK海力士在美國的業務擴張，還將爲當地經濟發展和技術創新帶來積極影響。
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